Determinación de la densidad de estados en semiconductores intrínsecos mediante mediciones de fotoconductividad espacialmente modulada

J. A. SCHMIDT; C. LONGEAUD

Bahía Blanca

Congreso; 89ª Reunión de la Asociación Física Argentina; 2004

Asociación Física Argentina

En este trabajo mostramos cómo el método de la red de portadores fotogenerados de estado estacionario (SSPG) puede ser utilizado para determinar la densidad de estados (DOS) en la banda prohibidad de semiconductores intrínsecos. Presentamos un cálculo que, partiendo de las ecuaciones básicas que gobiernan el fenómeno, conduce a una ecuación muy simple que relaciona la DOS en el cuasi-nivel de Fermi para electrones con la señal de SSPG para grandes períodos de la red fotogenerada. Ilustramos la utilidad de la nueva técnica y sus limitaciones cuando se la aplica al silicio amorfo hidrogenado, utilizando para ello los resultados de simulaciones numéricas que reproducen las curvas experimentales de SSPG. Proponemos un procedimiento experimental para incrementar la precisión en la determinación de la DOS, y ponemos a prueba el método comparando con mediciones realizadas en la misma muestra por la técnica de fotoconductividad modulada. Los resultados de ambos métodos son muy similares, lo que prueba la factibilidad del nuevo procedimiento.