INVESTIGADORES
DARRIBA German Nicolas
congresos y reuniones científicas
Título:
Oxidos semiconductores con estructura corundum: Propiedades estructurales y electrónicas en sitios de impureza Ta
Autor/es:
G. N. DARRIBA; E. L. MUÑOZ; L. A. ERRICO; P. D. EVERSHEIM; D. RICHARD; M. RENTERÍA
Lugar:
Malargüe
Reunión:
Congreso; 95º reunión de la Asociación de Física Argentina; 2010
Institución organizadora:
Asociación de Física Argentina
Resumen:
En este
trabajo realizamos una revisión de las propiedades estructurales y electrónicas
de óxidos binarios con estructura corundum (Al2O3, Fe2O3 y Cr2O3)
dopados con Ta, obtenidas de la comparación de resultados experimentales del
tensor Gradiente de Campo Eléctrico (GCE) y cálculos ab
initio. Los resultados experimentales provienen de experimentos de
Correlaciones Angulares Perturbadas Diferenciales en Tiempo (PAC) realizados
sobre muestras monocristalinas y policristalinas, implantadas con iones 181Hf(! 181Ta) en
el acelerador de iones del H-ISKP de la Universidad de Bonn. Los cálculos ab
initio fueron realizados con el método FP-APW+lo (utilizando el código
WIEN2k), en el marco de la
Teoría de la Funcional Densidad (DFT), con una dilución de
impureza de 1:12. Entre los resultados más interesantes es de destacar que la
magnitud de las relajaciones estructurales sufridas en el entorno de la mpureza son proporcionales a la relación
entre los radios iónicos de la impureza (Ta) y el catión que reemplaza en la
red. Además en todos los casos las distancias finales de equilibrio entre la
impureza y los oxígenos primeros vecinos tienden a la distancia que existe
entre el Ta y los oxígenos en sus óxidos, Ta2O5 y TaO2. En
todos los casos se encontró que la impureza está parcialmente ionizada. Las
contribuciones al GCE de las orbitales p y d presentan
un peso relativo diferente al observado en óxidos con otras estructuras como la
rutilo, donde la contrición p domina.
