EVALUACIÓN DEL USO DE UN OSCILADOR EN ANILLO MOS COMO SENSOR EN UN DOSÍMETRO.

LIPOVETZKY, J.; REDIN, E. G.; FAIGÓN, A.

Campinhas, Brasil

Jornada; Jornada de Jóvenes Investigadores de AUGM; 2006

Cuando un transistor Metal-Óxido-Semiconductor (MOS) es expuesto a radiación ionizante se modifica la tensión de umbral (VT) debido a la acumulación de carga eléctrica en el óxido de los dispositivos y creación de estados de interfaz. En transistores de canal-p, el corrimiento de VT que es negativo, puede ser usado para cuantificar la dosis absorbida y así usar al transistor como sensor en un dosímetro [1]-[4]. Para medir dosis con precisión, el sensor es polarizado durante la irradiación requiriéndose p circuitos complejos. Además, la medición de VT debe ser precisa e inmune al ruido eléctrico.  En este trabajo se estudia la posibilidad de medir dosis de radiación a través del cambio en frecuencia de osciladores en anillo formados  por transistores MOS. Dicha frecuencia se modifica debido al corrimiento de VT y puede ser medida con una precisión muy alta. Este aspecto hace potencialmente preciso al sensor. Además, debido a que señal de salida del oscilador es compatible con circuitos CMOS, es posible integrar al sensor junto con circuitos de medición.