Tecnica de medicion pulsada para el estudio de inestabilidades en e o dispositivos MOS con aislantes de alta constante dielectrica

SAMBUCO SALOMONE L,FERNANDEZ M ,LIPOVETZKY J ,CARBONETTO S ,GARCIA INZA M ,REDIN E G ,BERBEGLIA F,CAMPABADAL F ,FAIGON A

San Carlos de Bariloche

Otro; 98a Reunión Nacional de Física de la Asociación Física Argentina; 2013

IB

En los ultimos años, diferentes materiales con una elevada constante dieleétrica K, como el diexportxido de hafnio (HfO2) y la alexportmina (Al2O3) han sido propuestos para ser utilizados en la industria microelectrexportnica como aislante de puerta en dispositivos MOS (Metal Oxido Semiconductor). Este tipo de materiales presentan una densidad de defectos estricamente activos mucho mayor que el dióxido de silicio (SiO2), utilizado en dispositivos convencionales. La captura de carga debido a transiciones de con ambas interfaces (metal y/o semiconductor) produce inestabilidades en las caracterısticas del dispositivo (especialmente en la tensión de encendido), manifestadas como un fenótmeno de histéresis en la caractertística de capacidad-tensión (C-V). Estas inestabilidades se manifiestan en un rango muy amplio de tiempos caracteristicos. En un trabajo previo se ha presentado una caracterizacion de las mismas sobre dispositivos con Al2O3 como aislante de puerta para tiempos mayores al segundo. En este trabajo se presenta la implementacion de la teorica de C-V pulsada a dichos dispositivos con el objetivo de caracterizar para tiempos inferiores al milisegundo las dependencias del fenomeno de histesis con la tension aplicada y los tiempos de medicon, extrayendo como resultado las caracterısicas de los centros de captura.