El dosímetro FOXFET. Estructura y caracterización

M. GARCÍA INZA; J. LIPOVETZKY; S. CARBONETTO; G. REDIN; L. SAMBUCO SALOMONE; A. FAIGON

Conferencia; XV Convención y Feria Internacional Informática; 2013

CEADEN

Dosímetros MOS de alta sensibilidad no pueden producirse en las tecnologías MOS corrientes dado que los óxidos de puerta son muy delgados y con tendencia a adelgazarse mientras que la sensibilidad crece con el espesor del óxido.. En este trabajo se presenta el FOXFET como sensor de radiación ionizante, un transistor MOS construido a partir de estructuras parásitas que se encuentran en todos los procesos de fabrica - ción estándar. Este nuevo dispositivo fue caracterizado tanto eléctricamente como también frente a radiación io- nizante. Los resultados muestran que el FOXFET efectivamente se comporta como un transistor MOS, y que como sensor de radiación se logran sensibilidades de hasta 500 mV/Gy, valor ampliamente superior al de los transistores nativos del proceso de fabricación. La sensibilidad obtenida es adecuada para el monitoreo de tra - tamientos de radioterapia y habilita a esta clase de dosímetros a ensayarse en aplicaciones de radiodiagnóstico