MODIFICACIÓN DE LAS PROPIEDADES ÓPTICAS DE LA SHELITA MEDIANTE EL DOPAJE CON LANTÁNIDOS EMISORES EN LA REGIÓN VISIBLE

PONCE, VANESA; KACZMAREK, ANNA; LOPEZ, CARLOS A.; NARDA, GRISELDA E.; GOMEZ, GERMÁN E.; VAN DEUN, RIK

S. M. de Tucumán

Congreso; XI Congreso Argentino de Fisicoquímica y Química Inorgánica; 2019

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Enlas últimas décadas, los iones lantánidos han sido empleados para la síntesisde materiales ópticamente activos para diversas aplicaciones tecnológicas, quevan desde la elaboración de dispositivos destellantes hasta el desarrollo demarcadores biológicos y sensores químicos1. Además, existen ejemplosen la literatura del uso de la schelita (CaWO4) como matriz para eldopaje de ciertos lantánidos con emisiones en la región visible y en el infrarrojocercano2. Elpresente trabajo se centra en la síntesis y caracterización de una familia decompuestos con fórmula general Ca1-2xLnxNaxWO4donde x = 0 y 0,1 y Ln = Eu, Tb, Gd, Eu0.5Tb0.5, Eu0.5Gd0.5,Eu0.33Tb0.33Gd0.33 and Tb0.5Gd0.5.La síntesis de estas fases se llevó a cabo mediante el método sol-gel mientrasque su caracterización fue realizada por difracción de rayos-X de polvos cuyospatrones fueron analizados con el método Rietveld. Además se realizaron medidaspor microscopía electrónica de barrido para analizar las morfologías y tamañosalcanzados.Losestudios ópticos se realizaron mediante la obtención de los espectros deexcitación y de emisión, como así también la determinación de los perfiles dedecaimiento y los tiempos de vida de luminiscencia (tobs). Los sistemas dopados con Eu o Tb y Eu-Gd o Tb-Gd revelaronla existencia de las transiciones f-f  5D0→7FJ (J=0-4) y 5D4 →7FJ(J=6-3) respectivamente, mientras que los sistemas mixtos Eu-Tb o Eu-Tb-Gdmostraron ambos conjuntos de transiciones. La incorporación de Gd a estas fasestiene como objetivo evitar el quenchingpor concentración. Además se demostró una correlación entre el tipo de iónhuésped y el color de la emisión resultante de los materiales obtenidos (verFigura). Estos resultados son promisorios para la elaboración de dispositivostales como los sensores basados en películas delgadas.