Efectos del agregado de Sn y Ag en el comportamiento I-V de microdispositivos de Sb-Te

J.ROCCA; M. FONTANA; M.A. UREÑA; F.GOLMAR

Buenos Aires

Congreso; 5 ° Congreso Argentino de Ingeniería (CADI), 11° Congreso Argentino de Enseñanza de la Ingeniería (CAEDI), 3° Congreso Latinoamericano de Ingeniería (CLADI); 2021

Los calcogenuros se encuentran entre los materiales capaces de cambiarreversiblemente su estructura entre estados amorfo y cristalino con un cambiosignificativo en su resistencia eléctrica, en el que puede basar su funcionamiento unamemoria electrónica no volátil (phase change materials). En su aplicación adispositivos, es necesario inducir esas transformaciones mediante estímulos eléctricosen geometrías reducidas. No sólo por la escala de la electrónica que los integraría,sino también debido a que ambos procesos de cambio de fase dependen de la energíapor unidad de volumen a entregar al material sensible.En trabajos previos, obtuvimos películas delgadas de composición base Sb70Te30 ydopadas con Sn o Ag. Al medir su resistencia aumentando la temperatura, se observóuna disminución abrupta de la resistencia, a determinadas temperaturas según lacomposición. Este resultado se asocia con la cristalización de las muestras, alcomplementarlo con difracción de rayos X y calorimetría diferencial de barrido.En este trabajo, usando técnicas de litografı́a, deposición de pelı́culas delgadas yataque por vı́a húmeda, se construyeron dispositivos micrométricos de superficierectangular y composición (Sb0,70Te0,30)92,5Me7,5 (Me: Sn o Ag) como material sensible,depositado sobre electrodos coplanares con separación L (2-16 μm) y ancho W (2-64μm). En las curvas I-V para Sb70Te30 se evidencia la transformación entre estados biendiferenciados: desde el estado original a uno de menor resistencia, atribuible a lacristalización, pero no se observa la transformación inversa. Comparamos estosresultados en función de la especie del dopante.