Fabricacion y caracterizacion de microdispositivos de memoria por cambio de fase en aleaciones del sistema Ge-Sb-Te

F.GOLMAR; M.BARELLA; M. FONTANA; J.ROCCA; M.A. UREÑA

Tucuman

Jornada; 101º Reunión de la Asociación Física Argentina; 2016

Asociación Física Argentina

El sistema Ge-Sb-Te, entre otros basados en calc´ogenos, se ha estudiado ampliamente para la fabricaci´on demedios de almacenamiento ´optico y, m´as recientemente, de sistemas de memoria persistente de estado s´olido. Laclave de estas aplicaciones se basa en el cambio apreciable de las propiedades f´ısicas de aleaciones de este sistemaante la transformaci´on estructural entre los estados amorfo y cristalino (por ej. conductividad el´ectrica o ´ındicede refracci´on).En trabajos previos, se ha caracterizado la estructura y la conductividad el´ectrica en funci´on de las transformacionesde fase que ocurren con el aumento de temperatura en pel´ıculas delgadas con composiciones Ge13Sb5Te82,Ge2Sb2Te5 [1], Ge1Sb2Te4, Ge1Sb4Te7 y Sb30Te70. En el presente trabajo, con el fin de estudiar la respuestade estas aleaciones a est´ımulos el´ectricos, se prepararon dispositivos por t´ecnicas de microfabricaci´on. Se obtuvieronconfiguraciones tipo crossbar (Metal-Calcogenuro-Metal). Las tres etapas se definieron por fotolitograf´ıa.Los contactos met´alicos se depositaron por sputtering y las regiones de calcogenuro por l´aser pulsado (PLD).Se midi´o la resistencia el´ectrica que presentaban los dispositivos a trav´es de sucesivas excitaciones con pulsoscontrolados de tensi´on o corriente.[1] Rocca, J., Fontana, M., Arcondo, B. (2012). Simulation of non-volatile memory cell using chalcogenideglasses doi:10.1016/j.jallcom.2012.01.052