Fabricación y caracterización de películas delgadas de Ge-Sb-Te

GARCIA, JOSÉ LUIS; BARROS, SANTIAGO; MARIA ANDREA UREÑA; FONTANA, M.; ARCONDO, B.

Tandil

Congreso; 99º Reunión de la Asociación Física Argentina - (AFA 2014); 2014

El sistema GeSbTe es, hoy día, ampliamente estudiado para su utilización en el ámbito de las memorias no volátiles, tanto eléctrica como óptica. Su principio de funcionamiento se basa en aprovechar los cambios en sus propiedades físicas (índices de refracción o conductividad eléctrica) que presentan al estar en estado amorfo o cristalino y la alta estabilidad que presentan en ambos estados, además de la relativa facilidad con la que se logra dicho cambio de fase cuando son preparadas en forma de película delgada. En este trabajo, se presenta la fabricación de películas delgadas de este sistema en las composiciones Ge13Sb5Te82, Ge1Sb4Te7, Ge2Sb2Te5 y Ge1Sb4Te7 con el objetivo de estudiar su comportamiento eléctrico. Las películas se obtuvieron por la técnica de ablación láser (PLD), empleando un laser Nd:YAG laser (λ = 355 nm). y fueron caracterizadas estructuralmente por difracción de rayos X. La dependencia con la temperatura (en el rango Temperatura ambiente ? 520 K) de la resistencia eléctrica de las películas fue medida empleando un horno eléctrico de lámparas. Estos experimentos fueron realizados a una velocidad de calentamiento de aproximadamente 2 K/m y permitieron analizar el proceso de cristalización de las mismas. Durante la cristalización, la resistencia eléctrica de las películas cae varios órdenes de magnitud en un rango estrecho de temperaturas. Se determinaron las energías de activación para la conducción eléctrica de los estados amorfo y cristalino, la temperatura de cristalización y la evolución temporal de la fracción transformada. Los productos de cristalización fueron determinados por difracción de rayos X. Los resultados son comprados con los obtenidos por otros autores.