Propiedades magneto-electronicas y curvas I-V resueltas en spin del diodo de heterojuntura GeSe/Co: un estudio ab initio

L. MAKINISTIAN; E.A. ALBANESI

Carlos Paz (Cordoba)

Congreso; 97 Reunion Nacional Asociacion Fisica Argentina; 2012

Asociacion Fisica Argentina y Univ. Nac. Cordoba

Presentamos c´alculos ab initio de propiedades magneto-electr´onicas y de transporte de la interfase de Cobalto (001) y el semiconductor GeSe, que constituyen un diodo de heterojuntura. En el marco de la DFT, utilizamos pseudopotenciales para modelar la interfase con una supercelda y estudiar las densidades de estado resueltas en orbitales y en spin, y por capa at´omica. Tambi´en reportamos una serie de cortes de la densidad electr´onica y de spin, que muestran una ligera magnetizaci´on de las primeras capas del semiconductor. Finalmente, modelamos el mismo sistema con otro enfoque: usando electrodos semi-infinitos y calculando con funciones de Green fuera del equilibrio curvas de tensi´on-corriente resuelta en spin, encontrando caracter´ýsticas de potencial inter´es en spintr´onica.ab initio de propiedades magneto-electr´onicas y de transporte de la interfase de Cobalto (001) y el semiconductor GeSe, que constituyen un diodo de heterojuntura. En el marco de la DFT, utilizamos pseudopotenciales para modelar la interfase con una supercelda y estudiar las densidades de estado resueltas en orbitales y en spin, y por capa at´omica. Tambi´en reportamos una serie de cortes de la densidad electr´onica y de spin, que muestran una ligera magnetizaci´on de las primeras capas del semiconductor. Finalmente, modelamos el mismo sistema con otro enfoque: usando electrodos semi-infinitos y calculando con funciones de Green fuera del equilibrio curvas de tensi´on-corriente resuelta en spin, encontrando caracter´ýsticas de potencial inter´es en spintr´onica.