INTEC   05402
INSTITUTO DE DESARROLLO TECNOLOGICO PARA LA INDUSTRIA QUIMICA
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Corrección GW para la función dieléctrica del compuesto GeSe bajo presión hidrostática
Lugar:
Malargüe-Mendoza
Reunión:
Congreso; 95° Reunión Anual de la Asociación Física Argentina; 2010
Institución organizadora:
AFA
Resumen:
El
cristal semiconductor GeSe forma una estructura ortorrómbica en capas,
caracterizada por interacciones débiles del tipo de van der Waals entre capas
diferentes, y por ligaduras fuertes entre los átomos dentro de cada capa. En
otros trabajos hemos estudiado las propiedades electrónicas y ópticas de este
material a presión ambiente, y mostrado que la interacción spin-órbita no representa
una contribución importante en este sistema. En el presente estudio, minimizando
las fuerzas internas por relajación de las posiciones atómicas, determinamos cómo
influye la presión hidrostática sobre la función dieléctrica compleja, obtenida
utilizando las correcciones de muchos cuerpos GW
para una correcta descripción de los estados excitados del sistema. Asimismo, mostramos las modificaciones que se
producen en el band gap del sistema a diferentes presiones. Mientras que la
comparación con los datos experimentales en el rango existente muestra muy buen
acuerdo, nuestros cálculos se extienden predictivamente a un rango de presiones
aún más amplio. Nuestros resultados muestran anisotropía bi- y triaxial en la
función dieléctrica, para diferentes rangos de energía de fotones incidentes.