Calculos ab initio de las propiedades electronicas y opticas del In4Se3

L. MAKINISTIAN, N.V. GONZALEZ LEMUS Y E.A. ALBANESI

Corrientes, Argentina

Taller; Segundo Taller-Escuela Latinoamericano de Materia Condensada: Espines en Solidos; 2009

Universidad Nacional del Nordeste

En este trabajo presentamos cálculos ab initio de bandas de energía, densidades de estados y propiedades ópticas del semiconductor en capas In4Se3. En otros trabajos hemos estudiado dichas características, y encontrado que exhibe bandas tridimensionales perpendiculares al plano de clivaje, con una dispersión anisotrópica de 1 eV en la dirección de las cadenas de In. Nuestros cálculos utilizan un método Full Potential Linearized Augmented Plane Wave (FP-LAPW), dentro de la Teoría de la Funcional Densidad (DFT). Discutimos tanto la diferencia implicada en el uso de las aproximaciones LDA y GGA, como el efecto de la inclusión de la interacción spin-órbita. El propósito del presente trabajo es explorar el sistema al límite de nuestra capacidad computacional, constituido por un cluster de PC´s de 48 nodos. Basadas en la estructura electrónica, obtenemos funciones dieléctricas y propiedades ópticas con cierta anisotropía, que se pueden explicar en base a nuestros resultados, los cuales en gran medida resultan predictivos, dado la escasa información experimental existente sobre este sistema.