Formación de ondas de densidad de carga en la superficie Sn/Cu(100): estudio

H. ASCOLANI

Salta

Congreso; 92 Reunión Nacional de Física; 2007

Asociación Física Argentina

Las transiciones de fase en superficies asociadas a una cierta ganancia en la energía electrónica del sistema, ha sido objeto de numerosos estudios. Uno de los ejemplos más interesantes en este área es la formación de una onda de densidad de carga. Para el caso de sistemas superficiales (2D), varios son los candidatos para esta fenomenología, pero el caso del sistema Sn/Cu(001) es el más claro en este sentido. La deposición a temperatura ambiente de 0.5 monocapas (MC) de átomos de Sn sobre la superficie Cu(100) forma una estructura (3Ö2×Ö2) R45° (en breve 3Ö2). Recientemente encontramos que la fase 3Ö2 sufre un transición reversible a una fase (Ö2×Ö2)R45° (en breve Ö2) cuando se aumenta la temperatura de la muestra por encima de 360K. Experimentos de foto-emisión resuelta en ángulo muestran un comportamiento electrónico totalmente consistente con la estabilización de una onda de densidad de carga a temperatura ambiente. (J. Martínez-Blanco et al., Phys. Rev B 041401(R) (2005)) En Bariloche hemos realizado experimentos de microscopía de efecto túnel (STM) en función de la temperatura con el propósito de investigar la estructura cristalina de ambas fases. Las imágenes de la fase Ö2, medidas a 400K, son consistentes con el modelo de una capa de Sn adsorbida sobre una superficie de Cu(100) sin reconstruir. Sin embargo, un estudio por LEED de la estructura cristalina de la fase 3Ö2  realizado previamente ( K. Pussi et al. Surf. Sci. 549, 24 (2004)) concluye que el sistema forma una aleación superficial. Nuestras imágenes de la fase 3Ö2, medidas a temperatura ambiente, son consistentes con la estructura de la aleación superficial determinado por LEED y, por lo tanto, apoyan la idea de que las estructuras cristalinas de las fases involucradas en esta transición serían más complejas que el modelo de una capa de Sn adsorbida.  En colaboración con: Jesús Martínez-Blanco, Universidad Autónoma de Madrid, 28049 Madrid, España.Julio E. Gayone, CONICET y Centro Atómico Bariloche (CNEA), 8400-Bariloche, Argentina.Esteban A. Sánchez, CONICET y Centro Atómico Bariloche (CNEA), 8400-Bariloche, Argentina.Enrique G. Michel, Universidad Autónoma de Madrid, 28049 Madrid, España. TIPO DE PRESENTACION: Charla invitada en la división Materia Condensada