INVESTIGADORES
GOLMAR Federico
congresos y reuniones científicas
Título:
Fabricación y caracterización de microdispositivos de memoria por cambio de fase en aleaciones del sistema Ge-Sb-Te
Autor/es:
J. A. ROCCA; M. BARELLA; M. A. UREÑA; F. GOLMAR; M. FONTANA
Lugar:
Tucumán
Reunión:
Congreso; 101º Reunión de la Asociación Física Argentina; 2016
Institución organizadora:
Asociación Física Argentina
Resumen:
El sistema Ge-Sb-Te, entre otros basados en calcógenos, se ha estudiado ampliamente para la fabricación de medios de almacenamiento óptico y, más recientemente, de sistemas de memoria persistente de estado sólido. La clave de estas aplicaciones se basa en el cambio apreciable de las propiedades físicas de aleaciones de este sistema ante la transformación estructural entre los estados amorfo y cristalino (por ej. conductividad eléctrica o índice de refracción).En trabajos previos, se ha caracterizado la estructura y la conductividad eléctrica en función de las transformaciones de fase que ocurren con el aumento de temperatura en películas delgadas con composiciones Ge13Sb5Te82, Ge2Sb2Te5 [1], Ge1Sb2Te4, Ge1Sb4Te7 y Sb70Te30. En el presente trabajo, con el fin de estudiar la respuesta de estas aleaciones a estímulos eléctricos, se prepararon dispositivos por técnicas de microfabricación. Se obtuvieron configuraciones tipo crossbar (Metal-Calcogenuro-Metal). Las tres etapas se definieron por fotolitografía. Los contactos metálicos se depositaron por sputtering y las regiones de calcogenuro por láser pulsado (PLD). Se midió la resistencia eléctrica que presentaban los dispositivos a través de sucesivas excitaciones con pulsos controlados de tensión o corriente.
