INVESTIGADORES
GOLMAR Federico
congresos y reuniones científicas
Título:
Saltos en la resistencia inducidos por campo eléctrico en películas delgadas de óxidos semiconductores
Autor/es:
M. VILLAFUERTE; G. JUÁREZ; S. P. HELUANI; M. TIRADO; C. GROSSE; F. GOLMAR; S. DUHALDE
Lugar:
La Plata, Argentina
Reunión:
Congreso; 90ª Reunión Nacional de Física; 2005
Institución organizadora:
Asociación de Física Argentina (AFA)
Resumen:
Los materiales que muestran saltos en la resistencia inducidos por campo eléctrico (SRICE) son atractivos para la actual tecnología de semiconductores [S. Q. Liu, N. J. Wu, and A. Ignatiev, Appl. Phys. Lett. 76, 2749 (2000), S. Duhalde, M. Villafuerte, G.Juarez, S.P. Heluani, Physica B 354, 11 (2004).], si bien el fenómeno todavía dista de ser debidamente comprendido. En los últimos años, se han realizado grandes avances en las técnicas de fabricación de multicapas aislante metal aislante que presentan distintos tipos de saltos de resistencia. Estos dispositivos son prototipos de memorias no volátiles de dos terminales y el salto de resistencia se produce como consecuencia de la aplicación de pulsos cortos ( menores a ms ) de tensión. En este trabajo, investigamos el fenómeno de los saltos inducidos por campo eléctrico en películas delgadas de LaCaMnO fabricadas por ablación láser. Para ello estudiamos las propiedades de transporte eléctrico en la interface película-electrodo a través de mediciones de impedancia en función de la frecuencia. Se caracterizó la muestra realizando curvas I-V donde se observa la no linealidad y el comportamiento asimétrico. Además, se estudió el efecto del enfriamiento a temperaturas por debajo de las transiciones FM y CO en el fenómeno de SRICE. Se discute el origen de este fenómeno considerando el atrapamiento de cargas en las interfaces, estado electrónico de defectos en las cercanías de los electrodos y en borde de grano.
