Relacion entre las propiedades estructurales y los band gaps en films delgados de SnS

A. NAUDI, M.V. WALZ; L. MAKINISTIAN, E.A. ALBANESI; P. JAIN, P. ARUN

Carlos Paz (Cordoba)

Congreso; 97 Reunion Nacional Asociacion Fisica Argentina; 2012

Asociacion Fisica Argentina

Estudios recientes realizados sobre el compuesto SnS, muestran que el material tiene potenciales aplicaciones en dispositivos de corte r´apido, y sus films delgados pueden usarse como materiales hologr´aficos; y particularmente en relaci´on con su band-gap intermedio resultan adecuados para l´aseres y detectores infrarrojos. Si bien estos films pueden presentar diferentes estados de cristalizaci´on como las tipo rocksalt y zincblenda, la fase de inter´es a temperatura ambiente es la ortorr´ombica, para la cual se observa una doble capa de cadenas en zig-zag formadas con interacciones fuertes en la direcci´on de las cadenas, mientras que dichas capas adyacentes est´an ligadas entre s´ý por fuerzas d´ebiles de van der Waals. En este trabajo presentamos la modelizaci´on con c´alculos ab-initio basados en la teor´ýa de la funcional densidad (DFT) y mediciones experimentales, de las variaciones resultantes en el band-gap en films de diversos espesores por variaciones en los par´ametros de red. Estas variaciones dependen de las tensiones mec´anicas a lo largo de las interacciones de van der Waals (eje mayor), y del espesor del film seg´un la direcci´on de las cadenas (eje de crecimiento del film).