INVESTIGADORES
GARCIA INZA Mariano Andres
congresos y reuniones científicas
CASSANI, M.; L. SAMBUCO SALOMONE; CARBONETTO, S.; E. G. REDÍN; A. FAIGÓN; GARCÍA INZA, M.A.
A physics-based numerical modeling of total ionizing dose effects in CMOS integrated circuits
2023 Argentine Conference on Electronics (CAE)
Lugar: Córdoba; Año: 2023;
CASSANI, M.; GOYRET, JUAN; CARBONETTO, S.; GARCÍA INZA, M.A.
A 180 nm CMOS temperature-compensated voltage reference with multiple outputs
IEEE Biennial Congress of Argentina (ARGENCON)
Lugar: San Juan; Año: 2022;
CARBONETTO, S.H.; GENOVESE, LUCIANO; SAMBUCO SALOMONE, L.; MARIANO ANDRÉS GARCÍA INZA; REDÍN, E.; FAIGÓN, A.
Total Ionizing Dose Effects on Floating Gate Structures. Preliminary Results.
LATS 2021 IEEE 22nd Latin American Test Symposium
Lugar: Punta del Este; Año: 2021;
GOYRET, JUAN; CARBONETTO, S.H.; CASSANI, M.V.; FAIGÓN, A.; GARCÍA INZA, M.A.
An Interfacing Circuit for Differential Measurement of Chalcogenide-Based Resistive Gas Sensors
2021 Argentine Conference on Electronics (CAE)
Año: 2021;
GARCÍA INZA, M.A.; CARBONETTO, S.; FAIGÓN, A.
MOS Devices and Integrated Circuits for Ionizing Radiation Dosimetry: a Review
2020 Argentine Conference on Electronics (CAE)
Lugar: Buenos Aires; Año: 2020;
CASSANI, M.V.; CARBONETTO, S.H.; FAIGÓN, A.; GALUP-MONTORO, C.; GARCÍA INZA, M.A.
Design of a low power CMOS amplifier for gas sensor applications
2º Conferencia Argentina de Electrónica (CAE)
Lugar: CABA; Año: 2020;
CARBONETTO, S.; JUAN CRUZ SUAREZ; MARIANO ANDRÉS GARCÍA INZA; A. FAIGÓN
Injection Mesurements and Simulation for a Floating Gate MOSFET Designed for Radiation Measurements
Conferencia Argentina de Electrónica
Lugar: Mar del Plata; Año: 2019;
SANCA, G.; DI FRANCESCO, F.; CAROLI, N; GARCÍA INZA, M.A.; GOLMAR, F.
Design of a simple readout circuit for resistive switching memristors based on CMOS inverters
International Forum on Research and Technology for Society and Industry (RTSI)
Lugar: Palermo; Año: 2018;
TEDESCO, A.; CARBONETTO, S.; GARCÍA INZA, M.A.
Sonda neural CMOS de 16 Canales con Electrodos Activos
Congreso de Microelectrónica Aplicada
Lugar: San Fernando del Valle de Catamarca; Año: 2018;
J. LIPOVETZKY; M. GARCIA INZA; M. RODRIGUEZ; G. REDIN; S. CARBONETTO; M. ECHARRI; F. GOLMAR; F. GOMEZ; M. BARELLA; G. SANCA; P. LEVY; A. FAIGÓN
COTS MOS Dosimetry on the MeMOSat Board, Results After 2.5 Years in Orbit
1st IAA Latin American Symposium on Small Satellites
Lugar: Buenos Aires; Año: 2017;
G. SALAYA; M. GARCÍA INZA; S. CARBONETTO; A. FAIGÓN
Design and Characterization of a CMOS Two-Stage Miller Amplifier for Ionizing Radiation Dosimetry
Argentine Conference on MicroNanoelectronics, Technology and Applications EAMTA/CAMTA. IEEE Conference
Lugar: San Martin; Año: 2017;
M. GIMENEZ; J. LIPOVETZKY; J. LONGHINO; F. ALCALDE BESIA; A. FAIGÓN; S. CARBONETTO; M. GARCIA INZA; G. REDIN; M. GOMEZ BERISSO
Dosimetría basada en sensores integrados CMOS para uso en haces mixtos de fotones y neutrones en BNCT
Reunión Nacional de la Asociación de Física Argentina (AFA)
Lugar: San Miguel de Tcumán; Año: 2016;
M. A. GARCIA INZA; S. CARBONETTO; G. SALAYA; I. MARTINEZ; A. FAIGÓN
Integration of Structures and Circuits for Dosimetry in a Single CMOS Chip
Radiation Effects on Components and Systems Conference (RADECS)
Lugar: Bremen; Año: 2016;
G. SANCA; O. ALPAGO; M. GARCIA INZA
Development of a sCMOS Interoperable Process Design Kit and an open set of standard digital cells
Argentine Conference on MicroNanoelectronics, Technology and Applications EAMTA/CAMTA
Lugar: Neuquen; Año: 2016;
N. RONIS; M. GARCIA INZA
Design and Characterization of Hall Plates in a 0.5μm CMOS Process
Argentine Conference on MicroNanoelectronics, Technology and Applications EAMTA/CAMTA
Lugar: Neuquen; Año: 2016;
A. FAIGÓN; I. MARTINEZ; S. CARBONETTO; M. GARCÍA INZA
Floating Gate sensor for in-vivo dosimetry in radiation therapies. Design and first characterization
VIII International Congress of Engineering Physics
Lugar: Mérida; Año: 2016;
A. FAIGÓN; I. MARTINEZ; S. CARBONETTO; M. GARCÍA INZA
Floating Gate sensor for in-vivo dosimetry in radiation therapies. Design and first characterization.
VIII International Congress of Engineering Physics
Lugar: Merida; Año: 2016;
S. CARBONETTO; M. GARCIA INZA; E. REDÍN; A. FAIGÓN
Design of an on-chip ionizing radiation differential sensor
Argentine School of Micro-Nanoelectronics, Technology and Applications (EAMTA)
Lugar: Villa María (Córdoba); Año: 2015;
G. SANCA; O. ALPAGO; M. GARCIA INZA
Desarrollo de un Kit de Diseño Interoperable y un conjunto de celdas estándar abiertos para un proceso CMOS escalable
Congreso de Microelectrónica Aplicada
Lugar: La Matanza; Año: 2015;
M. GARCIA INZA; S. CARBONETTO; J. LIPOVETZKY; A. FAIGÓN
Sensor de radiación ionizante basado en el desapareamiento de transistores MOS para aplicaciones médicas
Reunión Nacional de la Asociación Física Argentina
Lugar: Tandil; Año: 2014;
S. CARBONETTO; M. GARCIA INZA; J. LIPOVETZKY; M. CARRÁ; E. REDÍN; L. SAMBUCO SALOMONE; A. FAIGÓN
CMOS differential and amplified dosimeter with Field Oxide nchannel MOSFETs
IEEE Nuclear and Space Radiation Effects Conference
Lugar: Paris; Año: 2014;
S. CARBONETTO; M. GARCIA INZA; J. LIPOVETZKY; M. CARRÁ; E. REDÍN; L. SAMBUCO SALOMONE; A. FAIGÓN
Application of a CMOS differential and amplified dosimeter with Field Oxide n-channel MOSFETs to Diagnosis XRay beams
Argentine School of Micro-Nanoelectronics, Technology and Applications (EAMTA)
Lugar: Mendoza; Año: 2014;
M. GARCIA INZA; S. CARBONETTO; J. LIPOVETZKY; L. SAMBUCO SALOMONE; E. REDÍN; A. FAIGÓN
MOS Differential Dosimeter with Better Than One MiliGray Resolution
International Conference on Solid State Dosimetry (SSD) 2013
Lugar: Recife; Año: 2013;
M. CARRÁ; M. GARCIA INZA; J. LIPOVETZKY; S. CARBONETTO; E. REDÍN; L. SAMBUCO SALOMONE; A. FAIGÓN
Ionizing Radiation Differential Sensor Based on Thick Gate Oxide MOS Transistors
Argentine School of Micro-Nanoelectronics, Technology and Applications (EAMTA) 2013
Lugar: Buenos Aires; Año: 2013;
L. SAMBUCO SALOMONE; A. KASULIN; J. LIPOVETZKY; S. CARBONETTO; M. GARCIA INZA; E. REDÍN; F. BERBEGLIA; F. CAMPABADAL; A. FAIGÓN
Radiation response of Al2O3-based MOS capacitors under different bias conditions.
Argentine School of Micro-Nanoelectronics Technology and Applications (EAMTA) 2013
Lugar: Buenos Aires; Año: 2013;
M. A. GARCIA INZA; J. LIPOVETZKY; S. CARBONETTO; E. REDÍN; L. SAMBUCO SALOMONE; A. FAIGÓN
EL DOSÍMETRO FOXFET. ESTRUCTURA Y CARACTERIZACIÓN
XV Convención y Feria Internacional Informática
Lugar: La Habana; Año: 2013;
M. GARCIA INZA; S. CARBONETTO; J. LIPOVETZKY; L. SAMBUCO SALOMONE; E. REDÍN; A. FAIGON
Dosimetría MOS de alta sensibilidad para radioterapias avanzadas y radiodiagnóstico
98° Reunión Nacional de la Asociación de Física Argentina
Lugar: Bariloche; Año: 2013;
M. GARCIA INZA; J. LIPOVETZKY; S. CARBONETTO; L. SAMBUCO SALOMONE; E. REDÍN; A. FAIGÓN
Total ionizing dose numerical model for radiation effects estimation in floating gate devices
Argentine School of Micro-Nanoelectronics, Technology and Applications (EAMTA) 2012
Lugar: Córdoba; Año: 2012;
S. CARBONETTO; M. GARCIA INZA; J. LIPOVETZKY; M. CARRÁ; L. SAMBUCO SALOMONE; E. REDÍN; A. FAIGÓN
Novel CMOS differential and amplified dosimeters. Proposals and simulations.
Radiation Effects on Components and Systems (RADECS) 2012
Lugar: Biarritz; Año: 2012;
A. FAIGÓN; M. GARCÍA INZA; J. LIPOVETZKY; E. REDÍN; S. CARBONETTO; L. SAMBUCO SALOMONE; F. BERBEGLIA
Experimental evidence and modeling of non-monotonic responses in MOS dosimeters
12th International Symposium on Radiation Physics (ISRP 2012)
Lugar: Rio de Janeiro; Año: 2012;
J. LIPOVETZKY; A. DE LA PLAZA; A. LUTENBERG; M. CARRÁ; P. BARBEITO; F. DANGIOLO; N. RIGONI; L. LOPEZ; M. GARCIA INZA
Work In Progress - Development of an Integrated Circuits Course that Includes the Full Experience of Designing an ASIC in a CMOS Process
IEEE Frontiers in Education Conference (FIE) 2011
Lugar: Rapid City; Año: 2011;
M. GARCIA INZA; L. LOPEZ; A. DE LA PLAZA
Modulador Sigma Delta Basado en Capacitores Conmutados con Amplificadores de Ganancia Unitaria
Congreso de Microelectrónica Aplicada (uEA) 2011
Lugar: La Plata; Año: 2011;
E. REDÍN; M. GARCIA INZA; J. LIPOVETZKY; S. CARBONETTO; L. SAMBUCO SALOMONE; A. FAIGÓN
Calibración de sensores MOS usando la técnica BCCM para medición de dosis en radioterapia
2da Runión conjunta SUF-AFA
Lugar: Montevideo; Año: 2011;
M. GARCIA INZA; J. LIPOVETZKY; E. REDÍN; S. CARBONETTO; L. SAMBUCO SALOMONE; A. KASULIN; A. FAIGÓN
Study of Floating Gate MOS devices transients during switched bias irradiations
Argentine School of Micro-Nanoelectronics Technology and Applications
Lugar: Montevideo; Año: 2010;
L. SAMBUCO SALOMONE; A. KASULIN,; S. H. CARBONETTO; M. GARCIA INZA; J. LIPOVETZKY; E. REDÍN; F. CAMPABADAL; A. FAIGÓN
Efectos de la Radiación en Estructuras MOS Capacitivas con Dieléctricos de Alto K
Congreso de Microelectrónica Aplicada (uEA) 2010
Lugar: San Justo, Pcia. de Buenos Aires; Año: 2010;
A. KASULIN,; L. SAMBUCO SALOMONE; S. CARBONETTO; M. GARCIA INZA; J. LIPOVETZKY; F. CAMPABADAL; E. REDÍN; A. FAIGÓN
Desarrollo de un Sistema para la Obtención Rápida de Curvas Capacidad-Tensión en Dispositivos MOS. Aplicación al Estudio de Dieléctricos de Alto K
Congreso de Microelectrónica Aplicada (uEA) 2010
Lugar: San Justo, Pcia. de Buenos Aires; Año: 2010;
P. BARBEITO; M. CARRÁ; M. GARCIA INZA
Diseño de un circuito integrado conversor Serie-Paralelo y Paralelo-Serie en un proceso CMOS de 0.5 um
Congreso de Microelectrónica Aplicada (uEA) 2010
Lugar: San Justo, Pcia. de Buenos Aires; Año: 2010;
M. GARCIA INZA; J. LIPOVETZKY; E. REDÍN; S. CARBONETTO; A. FAIGÓN
Floating Gate PMOS Dosimeters under Bias Controlled Cycled Measurement
Radiation Effects on Components and Systems (RADECS) 2010
Lugar: Langenfeld; Año: 2010;
S. CARBONETTO; J. LIPOVETZKY; M. A. GARCIA INZA; E. REDÍN; A. FAIGÓN
Ring oscillators response to irradiation and application to dosimetry
Argentine School of Micro-Nanoelectronics, Technology and Applications
Lugar: Bariloche; Año: 2009;
J. LIPOVETZKY; E. REDÍN; M. GARCIA INZA; S. CARBONETTO; A. FAIGÓN
Temperature effects on metal oxide semiconductor dosimeters during switched bias irradiation
Argentine School of Micro-Nanoelectronics, Technology and Applications, 2009. EAMTA 2009.
Lugar: Bariloche; Año: 2009;
M. GARCÍA INZA; J. LIPOVETZKY; E. REDÍN; S. CARBONETTO; A. FAIGÓN
Stand Alone MOS Dosimetry System For High Dose Ionizing Radiation.
Argentine School of Micro-Nanoelectronics, Technology and Applications (EAMTA) 2009
Lugar: Bariloche; Año: 2009;
M. A. GARCIA INZA; J. LIPOVETZKY; S. CARBONETTO; E. REDÍN; A. FAIGÓN
Diseño de estructuras CMOS para el sensado de carga atrapada en el óxido
Jornadas de Jóvenes Investigadores - AUGM
Lugar: Concordia; Año: 2009;
J. LIPOVETZKY; M. GARCÍA INZA; S. CARBONETTO; E. REDÍN; A. FAIGÓN
Temperature and Interface Traps Compensation in MOS Bias Controlled Cycled Dosimeters
Argentine School of Micro-Nanoelectronics, Technology and Applications (EAMTA) 2008
Lugar: Buenos Aires; Año: 2008;
J. LIPOVETZKY; E. REDÍN; M. GARCÍA INZA; S. CARBONETTO; A. FAIGÓN
Temperature Dependence and Compensation in MOS Dosimeters Using Bias Controlled Cycled Measurement.
Nuclear Science Symposium, Medical Imaging Conference and 16th Room Temperature Semiconductor Detector Workshop
Lugar: Dresden; Año: 2008;
J. LIPOVETZKY; E. REDÍN; M. MAESTRI; M. GARCIA INZA; A. FAIGÓN
Extension of the Measurement Range of MOS Dosimeters Using Radiation Induced Charge Neutralization
Radiation Effects on Components and Systems (RADECS) 2007
Lugar: Deauville; Año: 2007;
J. LIPOVETZKY; E. REDÍN; M. GARCÍA INZA; A. FAIGÓN
MOS Dosimetry for very high doses.
Argentine School of Microelectronics, Technology and Applications (EAMTA) 2007
Lugar: Córdoba; Año: 2007;
