CALCULOS DE PROPIEDADES ELECTRONICAS Y ESTRUCTURALES DE SEMICONDUCTORES II-VI

A. M. MARTÍNEZ; RICARDO FACCIO; M. R. SORIANO; A. B. TRIGUBÓ; N. RABINOVICH

San Rafael, Mendoza

Congreso; Congreso MATTE@R 2012, 2º Reunión de Materiales Tecnológicos en la Argentina; 2012

Universidad Tecnológica Nacional, Facultades Regionales San Rafael y San Nicolás

Utilizando cálculos de primeros principios (ab-initio), se realiza un estudio de propiedades electrónicas y estructurales para los compuestos: CdTe y ZnTe y compuestos dopados con Zn. Los semiconduc-tores de la familia II-VI presentan interés tecnológico por su estabilidad térmica, sus propiedades mecánicas y químicas, y por que presentan numerosas aplicaciones. Justamente este es el punto por lo que es importante la predicción de propiedades estructurales, eléctricas, ópticas, termodinámicas. Poder comprender, y también controlar, las propiedades de los materiales a nivel atómico presenta un gran interés y provee una información que no se puede obtener de otra manera. Estos modelos comenzaron aplicándose a sistemas idealizados pero hoy la predicción de propiedades energéticas, estructurales, electrónicas, magnéticas y optomagnéticas, han alcanzado un nivel de exactitud que está comenzando a servir de guía para los experimentos, ya que se pueden tratar sistemas reales. El Cd1-xZnxTe (0 ≤ x ≤ 0,1) (CZT) se utiliza en dispositivos ópticos y electrónicos como conversor fotovoltaico de energía, detector de RX y gamma y celdas solares. Se emplea como sustrato en el crecimiento epitaxial de materiales aptos para la detección de longitudes de onda en el infrarrojo. Las aleaciones de Cd1-xZnxTe con x = 0,04 y 0,10, se prefieren frente al binario CdTe como sustrato debido a su mayor dureza y por su menor densidad de dislocaciones. El ZnTe emite en longitudes de onda de los 540 nm. Así, su uso es promisorio en diodos láseres y emisores de luz de alta intensidad, en ambos casos en el verde.