Propiedades electrónicas de semiconductores II-VI

A. M. MARTÍNEZ; J. GONZALEZ HUGHETTI; R. HERCOLINI; M. PELLIZZER; A. B.TRIGUBÓ; M. R. SORIANO

San Miguel de Tucumán, Pcia. de Tucumán

Congreso; XXVII Congreso Argentino de Química; 2008

Asociación Argentina de Química

La distribución espacial de átomos y moléculas en un material tiene consecuencias directas sobre las propiedades macroscópicas del mismo. El interés que podemos tener en saber cómo se relacionan la estructura y las propiedades de los materiales tiene que ver con el interés en sí mismo de saber y descubrir las múltiples aplicaciones que presentan los materiales en la vida humana. La modelización computacional en materiales ha avanzado mucho en estos últimos años. La descripción de sistemas de muchas partículas ha sido un objetivo importante y esto ha llevado al desarrollo de programas que incluyen modelos y aproximaciones cada vez mejores para el cálculo de distintos materiales y el estudio de diferentes propiedades. Los modelos de ondas planas LAPW presentan uno de los esquemas más exactos para el cálculo de estructura de bandas. Los programas en los que estos métodos están implementados (DFT, LAPW) permiten el cálculo de energía de bandas, la densidad de estados, la densidad electrónica, los factores de estructura de rayos X, la energía total, las geometrías de equilibrio, propiedades ópticas, etc. Algunos de estos modelos requieren el uso de potenciales que se pueden encontrar ya parametrizados o se parametrizan ajustándolos a valores experimentales o a valores obtenidos de cálculos cuánticos. El ZnSe, CdSe, ZnTe y CdTe son semiconductores II-VI. De esta familia el CdSe es el único que crece en la estructura hexagonal compacta (hcp, P63mc). Los otros son de estructura esfalerita (F-43m). El CdSe presenta un alto poder de frenado para la radiación nuclear que tiene aplicación tecnológica para los detectores de radiación nuclear que operan a temperatura ambiente, dispositivos ópticos no lineales, etc. El ZnSe es un semiconductor tipo n, que se utiliza como material fotoconductor y se aplica a celdas  fotovoltaicas, pantallas láser etc. También se utiliza como diodos de emisión de luz (LED) (azul y verde). El CdTe se usa en la fabricación de dispositivos sensibles a la radiación X y Gamma, moduladores electro-ópticos y detectores fotorrefractivos. Se emplea también como sustrato en el crecimiento epitaxial de materiales aptos para la detección de longitudes de onda en el infrarrojo. El ZnTe emite en longitudes de onda de los 540 nm. En consecuencia, su uso es promisorio en diodos láseres (LDs) y emisores de luz de alta intensidad (LEDs) en ambos casos en el verde.