Determinación de las condiciones de crecimiento del CdZnTe

ANA MARÍA MARTÍNEZ; M. R. ROSENBERGER; A. B. TRIGUBÓ; C.E. SCHVEZOV; N.E. WALSÖE DE RECA

Buenos Aires

Congreso; 93ª Reunión Nacional de Física. XI Reunión de la Sociedad Uruguaya de Física; 2008

Asociación Física Argentina y Sociedad Uruguaya de Física

El Cd(1-y)Zn(y)Te (0 < y < 0,1) pertenece a la familia de materiales semiconductores II-VI y se crecen por el método Bridgman en forma monocristalina. Estos semiconductores tienen múltiples e importantes aplicaciones tecnológicas. Se los utiliza en la fabricación de detectores de rayos x y gamma, moduladores electro-ópticos, detectores fotorrefractivos y también como sustrato para crecimiento de películas epitaxiales de materiales sensibles a la radiación IR. Por tal motivo es necesario obtenerlo con calidad estructural y eléctrica excelente. A través de la simulación numérica, mediante el empleo de Elementos Finitos es posible obtener un mayor conocimiento del sistema y en consecuencia es posible disminuir el número de pruebas experimentales de costo muy elevado. Se realiza la simulación del proceso de solidificación de los monocristales con el propósito de obtener las condiciones óptimas de crecimiento. Se considera que la velocidad de crecimiento es baja, esto permite suponer un estado cuasi estacionario para la simulación. Se tienen en cuenta diferentes etapas para reducir la complejidad del cálculo y la memoria de procesamiento computacional. En la primera etapa se obtiene el perfil de temperaturas sobre la pared de la ampolla interna de cuarzo. En la segunda etapa se simula el crecimiento del CdZnTe. Se  presentan los resultados sobre la forma de la interfase y la velocidad de crecimiento para distintas velocidades de traslación teniendo en cuenta diferentes gradientes de temperatura en el horno.