Cálculo computacional de las propiedades electrónicas del CdSe hexagonal

SORIANO M.R.; MARTÍNEZ A.M.; TRIGUBÓ A.B.

Complejo Cultural del Huerto?, Pueyrredón 179, en Salta Capital

Congreso; 92 Reunión Nacional de Física; 2007

Asociación Física Argentina

El CdSe es un compuesto semiconductor II-VI de estructura hexagonal compacta (hcp) que tiene un ancho de banda de energía prohibida de 1,67 eV y que presenta un alto poder de frenado para la radiación nuclear por lo que tiene múltiples e importantes aplicaciones tecnológicas tales como los detectores de radiación nuclear que operan a temperatura ambiente, dispositivos ópticos no lineales, etc. Los métodos de cálculos computacionales presentan una enorme importancia en el estudio y predicción de propiedades estructurales, eléctricas, ópticas, termodinámicas, estructuras de bandas, etc., y brindan información que no se puede obtener de otra manera. La modelización permite profundizar la comprensión de los fenómenos físicos. A partir de la teoría de la funcional densidad (DFT), dentro de la aproximación de densidad local, hemos utilizando el método full potential linearized augmented plane wave (FP-LAPW) para realizar un primer estudio de las propiedades electrónicas del CdSe en la fase hexagonal hcp. Se calcularon la estructura electrónica de las bandas, la energía de Fermi (EF) y la densidad de estados (DOS). Se emplearon dos aproximaciones: GGA (aproximación generalizada de gradiente) y LSDA (aproximación de la densidad local de spin). En la primera de ellas se usaron los pseudopotenciales de Perdew-Burke-Erzenhorf 96 y de Perdew-Wang 91). Para el cálculo computacional se utilizó el programa WIEN97.8 y el WIEN2K encontrándose un buen acuerdo entre los resultados de ambos programas y con los datos experimentales.