BECAS
MARTÍNEZ Ana MarÍa
congresos y reuniones científicas
Título:
Simulación del crecimiento del CdZnTe por el método de Bridgman
Autor/es:
A.M. MARTÍNEZ; M.R. ROSENBERGER; A.B. TRIGUBÓ; C.E. SCHVEZOV; N.E. WALSOE DE RECA
Lugar:
Universidad Tecnológica Nacional - Facultad Regional San Nicolás, San Nicolás, Argentina
Reunión:
Congreso; 7mo Congreso de Metalurgia y Materiales SAM-CONAMET 2007; 2007
Institución organizadora:
SAM; SOCHIM; IAS; UTN-FRSN-Dpto de Metalurgia
Resumen:
Se hace la simulación del
crecimiento monocristalino del CdZnTe con el propósito de obtener un mayor
conocimiento sobre el proceso de solidificación del sistema lo que permitiría disminuir
el número de pruebas experimentales cada una de ellas de costo muy elevado.
Se modela el proceso teniendo
en cuenta diferentes etapas. En la primera se efectúa una simulación en estado
estacionario, en el cual se compara la conveniencia de usar un modelo matemático
con un dominio constituído por el horno vertical Bridgman en cuyo interior se
encuentra una ampolla de cuarzo de pared simple y se la contrasta con una ampolla
de cuarzo de pared doble, en ambos casos vacías.
En la segunda etapa se
realiza una simulación en estado estacionario donde se considera que la ampolla
simple o la interna de la doble cápsula está cargada con materiales en
diferentes estados de agregación. Se analiza así la influencia de los estados
de agregación en el campo de temperaturas para compararla posteriormente con la
de la ampolla vacía en el caso de la simple y doble cápsula.
Se
estudia la confiabilidad del perfil de temperatura en función del tiempo sobre
la pared de la ampolla simple y la interna de la doble dado que se las utilizará
en una tercera etapa para simular el crecimiento del semiconductor en estado
estacionario.