Conmutación en TiO2

NESTOR GHENZI

Conferencia; Reunion Nano Argentina 2012; 2012

El fenómeno de conmutación resistiva por pulsos eléctricos (EPIRS ?Electric Pulse Induced Resistance Switching), observado en diferentes óxidos con contactos metálicos, consiste en el cambio abrupto de la resistencia eléctrica de un material o interface debido a la aplicación de pulsos eléctricos. Lo que hace a este efecto notable y de gran potencial tecnológico es que el cambio de resistencia es no-volátil y reversible. Esto permite utilizar al óxido como una memoria. Por el tiempo de acceso  reportado (nseg) y el formato de las muestras (tamaño del bit ~ 10 nm), esta problemática encarada en el escenario de la nanotecnología posee una interesante perspectiva de aplicabilidad. En la primer parte del doctorado se abordó la conmutación resistiva en contactos  manganita (La0.325Pr0.3Ca0.375MnO3) ? metal a través de una aproximación teórico - experimental. A partir del entendimiento de los perfiles microscópicos de vacancias de oxígeno simulados se interpretaron resultados experimentales novedosos con potencial uso tecnológico tales como comportamiento multi - nivel, reducción de los valores umbrales para la conmutación y optimización de la brecha de conmutación de la resistencia. En la segunda parte  del doctorado iniciamos un proceso de micro fabricación de muestras con geometría de junturas Metal - Óxido - Metal. Se realizaron pruebas usando TiO2 obtenido por técnicas de ?dip coating?, oxidación térmica y ?sputtering? reactivo. Los prototipos fabricados permiten tener memorias de hasta 100 bits. Los requisitos de las memorias de reinicialización son muchos más discretos a lo que se pretende de una memoria electrónica para el mercado de consumo masivo. Nuestro valor agregado se basa en las condiciones extremas a las que son sometidos los dispositivos