INVESTIGADORES
GARCIA INZA Mariano Andres
congresos y reuniones científicas
Título:
EL DOSÍMETRO FOXFET. ESTRUCTURA Y CARACTERIZACIÓN
Autor/es:
M. A. GARCIA INZA; J. LIPOVETZKY; S. CARBONETTO; E. REDÍN; L. SAMBUCO SALOMONE; A. FAIGÓN
Lugar:
La Habana
Reunión:
Conferencia; XV Convención y Feria Internacional Informática; 2013
Institución organizadora:
Ministerio de la informática y comunicaciones
Resumen:
La tendencia tecnológica de reducir las dimensiones en los dispositivos MOS atenta contra la posibilidad de fabricar dosímetros MOS de alta sensibilidad, ya que para ellos es necesario tener disponibles espesores de óxido gruesos. En este trabajo se presenta el FOXFET como sensor de radiación ionizante, un transistor MOS construido a partir de estructuras parásitas que se encuentran en todos los procesos de fabricación estándar, y por lo tanto disminuyen considerablemente el costo de producción. Este nuevo dispositivo fue caracterizado tanto eléctricamente como también frente a radiación ionizante. Los resultados muestran no sólo que el FOXFET efectivamente se comporta como un transistor MOS, sino que además se logran sensibilidades frente a radiación de hasta 500 mV/Gy, valor ampliamente superior al de los transistores
nativos del proceso de fabricación, y también compatibles con aplicaciones de bajas dosis, como los tratamientos de radioterapia.
