Modelado de transistores de Efecto de campo basados en grafeno: una aplicación con Lys, Gly, Tyr and Phe.

SINDY JULIETH RODRÍGUEZ SOTELO; ALBANESI, EDUARDO ALDO

Buenos Aires

Congreso; 103a Reunión de la Asociación Física Argentina; 2018

Asociación de Física Argentina

Las múltiples propiedades físicas y químicas del grafeno, lo convierten en un candidato clave para el diseño de transistores de efecto de campo (GFETs, por sus siglas en inglés graphene-based field-effect transistor) con aplicaciones en el sensado de moléculas biológicas. Los GFETs se componen de tres contactos metálicos (fuente, drenaje y puerta) y un canal de grafeno, donde, mediante un campo eléctrico, se controla la conductividad y la transmisión del canal. En este trabajo, se llevó a cabo el modelado computacional de un dispositivo tipo GFETs con dos contactos de grafeno, haciendo uso de la teoría del funcional de la densidad (DFT) y funciones de Green fuera del equilibrio (NEGF). El estudio se enfocó en el cálculo de la transmisión de corriente a través de una hoja de grafeno antes y después de la adsorción de cuatro aminoácidos: lisina (Lys), glicina (Gly), tirosina (Tyr) y fenilalanina (Phe). Se presentan los resultados de transferencia de carga, densidades de estado y perfiles de las curvas de corriente vs voltaje de polarización (I-V), antes y después de la adsorción. De acuerdo a los resultados, se reportan: i) diferencias en los perfiles I-V  para cada molécula adsorbida, ii) asimetrías en las curvas de transmisión y perfiles I-V, cuando el grafeno adsorbe los aminoácidos Phe y Lys, dichas asimetrías están asociadas a un comportamiento de diodo rectificador para el dispositivo propuesto.