Evolución fotoinducida de la luminiscencia de silicio poroso nanoestructurado: influencia de la iluminación durante la preparación

KOROPECKI, R.R:; SPIES, C.; GENNARO, A.M.; ARCE, R.D.; SCHMIDT, J.

La Plata

Congreso; 90º Reunión Nacional de Física; 2005

Existe un conjunto de par´ametros operacionales que gobiernan tanto el proceso de anodizado de silicio, como las caracter´ýsticas del silicio poroso resultante. Entre estos par´ametros la intensidad de luz empleada durante la preparaci ´on ha sido una variable poco explorada, aunque las caracter´ýsticas del silicio de partida pueden presentar requerimientos respecto de la misma. En un trabajo previo [G. Olmos et al. Anales AFA 2004, en prensa] se reporta el comportamiento de la evoluci´on inducida por irradiaci´on postpreparaci ´on de espectros de fotoluminiscencia de silicio poroso, preparado a partir de monocristales de silicio tipo n de alta resistividad. La evoluci´on fotoinducida de los espectros resulta notablemente diferente de la que ocurre en el material tipo p. En el presente trabajo se emplean t´ecnicas de espectrometr´ýas EPR, FTIR, luminiscencia y foto-efusi´on de hidr´ogeno para estudiar el efecto de la intensidad de la radiaci´on empleada durante la preparaci´on en la evoluci´on fotoinducida de la luminiscencia de muestras de distintos tipos. Se muestra que en todos los casos coexisten dos efectos que determinan la cin´etica de la evoluci´on. Uno de ellos deriva de efectos de confinamiento cu´antico, y el otro es un apagado (quenching) de la luminiscencia que sigue una ley potencial como la reportada en el trabajo citado para las  muestras tipo n. Aunque nuestros experimentos no permiten discriminar los mecanismos microsc´opicos involucrados, se demuestra que es la intensidad de irradiaci´on durante la preparaci´on (y no las caracter´ýsticas del silicio utilizado) la responsable de que uno u otro de los efectos sea relevante.