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El TiO2 es un semiconductor de ?gap? de banda ancho (3.2 eV) con muchas aplicaciones potenciales, por ejemplo en la espintrónica (como matriz de semiconductor semimagnético), células solares, destrucción de contaminantes ambientales, microelectrónica del Si (dieléctrico de alta constante), fotónica (capas antireflectoras, detectores de luz), nanotecnología (sensores químicos, actuadores, etc), y otros. La fotoconductividad es muy importante para la caracterización de dispositivos electrofotónicos, pues está ligada a factores cruciales como la conversión fotón-portador, los mecanismos del transporte eléctrico y de recombinación (radiativos o no) de los fotoportadores en el semiconductor, y la distribución de estados electrónicos que participan en estos procesos. En esta contribución, medimos la fotoconductividad y su decaimiento en el tiempo, en vacío y a temperatura ambiente, en láminas finas de TiOx (x=1.80-2.04) preparadas por sputtering reactivo en radio frecuencia de un blanco de Ti en ambientes de mezclas gaseosas de Ar y O2. La energía de gap de las láminas, deducida a partir de medidas de transmitancia en el UV-visible, varía de 3.18 a 3.34 eV. La fuente de excitación utilizada para la medida de fotoconductividad es un diodo emisor de luz comercial cuyo espectro de emisión posee un pico en h = 3.1 eV y una definición espectral de 5%. Dependiendo de las condiciones de preparación de las láminas, se obtienen diferentes valores de fotoconductividad, siendo que la razón entre la fotoconductividad y la conductividad en oscuro varía entre 1 y 104. En todos los casos, la fotocorriente decae lentamente (varias horas a días) cuando se apaga la fuente de luz. El análisis de los datos nos permite deducir un comportamiento general de fotoconductividad persistente caracterizado por transporte dispersivo de fotoportadores en una distribución de trampas debida a estados electrónicos subgap. En nuestra presentación, discutiremos la relación entre estos estados, la fotoconductividad y las distintas características estructurales y morfológicas conocidas de

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