Silicio amorfo hidrogenado como material de base para la obtenci´on de l´aminas delgadas de silicio policristalino

N. BUDINI; J.A. SCHMIDT; R.D. ARCE; R.R. KOROPECKI; R.H. BUITRAGO

Salta

Congreso; 92º Reunión de la Asociación Física Argentina; 2007

Asociación Fisica Argentina

El silicio amorfo hidrogenado es un semiconductor degran inter´es en aplicaciones fotovoltaicas, pero su gran desventajaes la degradaci´on intr´ınseca que presenta al ser iluminado,lo cual disminuye la eficiencia de los dispositivosproducidos. Para superar esta dificultad, en este trabajo sepropone depositar el material amorfo a bajas temperaturas,y luego someterlo a tratamientos t´ermicos para obtener unmaterial policristalino con mejores propiedades el´ectricas.Con el objetivo de obtener materiales con diferentes microestructurasy contenidos de hidr´ogeno, para luego estudiarcu´al de ellos conduce a un mejor material policristalino, depositamosuna serie de muestras a temperaturas entre 150y 350 oC por el m´etodo de CVD asistido por plasma. Obtuvimospel´ıculas homog´eneas de silicio amorfo a velocidadesde deposici´on de 10 - 25 °A/seg, cuyo espesor fue medido apartir de los espectros de transmitancia y reflectancia. Lacaracterizaci´on el´ectrica incluy´o medidas de conductividaden funci´on de temperatura, fotoconductividad y longitudde difusi´on de portadores minoritarios (huecos) mediante lat´ecnica de red fotogenerada de estado estacionario (SSPG).Para cristalizar el silicio amorfo con un tama?no de granolo m´as grande posible, es conveniente reducir el contenidode hidr´ogeno de las muestras. Para ello se realizaron dosrecocidos en atm´osfera inerte, a 400 y 500 oC, los cualeseliminaron de los espectros IR toda se?nal del hidr´ogeno ligado.Por ´ultimo se realiz´o un recocido final a 600 oC paralograr la cristalizaci´on del silicio. Esto se comprob´o a trav´esde los espectros de rayos X, cuyos picos cristalinos caracter´ısticos permitieron estimar el tama?no de grano de loscristales.