Estudio de fenómenos estimulados por relajación térmica en películas delgadas de semiconductores

A. DUSSSAN CUENCA; KOROPECKI, R. R.; J. A. SCHMIDT; R. ARCE; R. BUITRAGO

Huerta Grande

Congreso; 87 Reunión Nacional de Física; 2002

Se presentan resultados preliminares de mediciones de corriente estimulada termicamente, para el estudio de películas delgadas de silicio microcristalino hidrogenado (c-Si:H) y silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H), preparados por PECVD. Las muestras se enfrían a 100 K y se irradian con luz monocromática durante 10 minutos. Luego se mide la corriente a oscuras en función de la temperatura entre 100 y 450 K. La medición se realiza usando un campo de 300 a 1000 V/cm, y aumentando la temperatura a un ritmo constante de 1.5 K/min. La irradiación produce el llenado de trampas para energías entre el nivel de Fermi y un nivel de demarcación dependiente de la temperatura. La función de ocupación es el resultado de la interacción de estos electrones atrapados con otras trampas y con estados en la banda de conducción. Esta función evoluciona en forma dependiente del tiempo y la temperatura. Los electrones emitidos durante el proceso de relajación contribuyen a una corriente que puede ser medida. A partir de la corriente, y usando hipótesis adecuadas, se puede estimar la densidad de defectos en función de la energía para una región del gap. Usando un modelo basado en trampas monovalentes se presentan resultados de una simulación