Emisión de electrones secundarios en films de aisladores. AlF3 sobre Cu(100)

RUANO, GUSTAVO; VIDAL, RICARDO; FERRÓN, JULIO

San Carlos de Bariloche

Congreso; Reunión Nacional de Física “Sólidos 05”; 2005

Centro Atómico Bariloche,

Emision de electrones secundarios en films de aisladores. AlF3 sobre Cu(100) Ruano Gustavo,1 Vidal Ricardo,1 y Ferron Julio2 1 Instituto de Desarrollo Tecnologico para la Industria Quimica. INTEC, CONICET y Universidad Nacional del Litoral 2 Instituto de Desarrollo Tecnologico para la Industria Quimica. INTEC-FIQ, CONICET y Universidad Nacional del Litoral A pesar de que la emision de electrones secundarios inducida por bombardeo ionico es un tema estudiado ya por mas de un siglo, continuamente aparecen experimentos que generan nuevas preguntas. Dentro de este esquema, la emision de electrones secundarios en aisladores presenta un desarrollo notablemente inferior respecto de metales y semiconductores. En este trabajo presentamos resultados sobre la emision de electrones inducida por iones (He, Ne, Ar y Li) sobre un metal (Cu) y un aislador (AlF3) y para films del aislador crecido sobre este. Las mediciones fueron realizadas en funcion del espesor del film para identificar posibles efectos del metal sobre los mecanismos de emision en el aislador. Teniendo en cuenta, por ejemplo, que la temperatura de metalizacion del fluoruro de aluminio con el recocido y algunos mecanismos de transporte, como la supervivencia de excitones, son dependientes del espesor del film, es de esperar que los mecanismos de emision de electrones sean dependientes de las mismas variables. Asi, encontramos que recocidos suaves (T menor que 200C), para los cuales la estructura quimica de los films de fluoruro no es alterada [L.Vergara et.al. Surface Science 482 (2001) 854], afectan drasticamente la distribucion en energia de los electrones secundarios.