Nanoestructuras Semiconductoras y su Aplicación en Dispositivos Optoelectrónicos

VEGA, NADIA; SALOMÓN, FERNANDO; CATTANEO, MAURICIO; TIRADO, MONICA; COMEDI, DAVID; KATZ, NÉSTOR E.

TUCUMAN

Encuentro; 2do. Encuentro Científico de Investigadores de la Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología de la Universidad Nacional de Tucumán: ECIFACET 2019; 2019

Facultad de Ciencias Exactas y Tecnologia, Universidad nacional de Tucumán

Desde hace décadas, se vienen realizando grandes esfuerzos en la búsqueda de nuevos materiales semiconductores que puedan reemplazar a los existentes, llevando a desempeños superiores tanto en eficiencia como en costos de fabricación, seguridad y versatilidad para diversas aplicaciones. En este marco, las nanoestructuras de semiconductores han llegado a cobrar gran importancia debido a sus propiedades novedosas que no se observan en materiales de dimensiones micrométricas o mayores y que han permitido no sólo el desarrollo y mejoramiento de numerosos dispositivos electrónicos, fotónicos, y optoelectrónicos, sino también avances en la investigación fundamental de la física de la materia. En particular, el ZnO presenta interesantes propiedades que lo llevan a ser candidato en la fabricación de nanoestructuras con aplicaciones en la optoelectrónica. Algunas de esas propiedades son su banda de energía prohibida (gap) directa en el rango ultravioleta, una elevada energía de ligadura excitónica, una alta movilidad de electrones, y una facilidad para su crecimiento en forma de nanoestructura, principalmente en forma de nanohilos, con técnicas de bajo costo y de fácil acceso. En este trabajo, se presenta un estudio a través de varias técnicas experimentales de propiedades relevantes para aplicaciones optoelectrónicas de nanohilos (NHs) de ZnO crecidos por diferentes técnicas de crecimiento: transporte de vapor (altas temperaturas) e hidrotermal (bajas temperaturas); en diferentes sustratos: opacos y transparentes; y con interfaces de los mismos con otros nanomateriales (MgO, PEDOT:PSS y complejos sensibilizantes de Ru) desarrollados para aplicaciones en dos tipos de dispositivos optoelectrónicos: diodo emisor de luz (LED, light-emitting diode) y celda solar Grätzel (DSSC, dye-sensitized solar cell).