INVESTIGADORES
TIRADO monica Cecilia
congresos y reuniones científicas
Título:
Efecto del annealing sobre nanoestructuras de ZnO sintetizadas en medio Acuoso
Autor/es:
ZELAYA, PRISCILA; VEGA, NADIA; COMEDI, DAVID; TIRADO, MONICA
Lugar:
TUCUMAN
Reunión:
Encuentro; 2do. Encuentro Científico de Investigadores de la Facultad de Ciencias Exactas y Tecnología de la Universidad Nacional de Tucumán: ECIFACET 2019; 2019
Institución organizadora:
Facultad de Ciencias Exactas y Tecnologia, Universidad nacional de Tucumán
Resumen:
La obtención de micro y nanoestructuras mediante la síntesis hidrotérmica está en auge debido a su gran control, rendimiento, sencilla manipulación y baja contaminación ambiental. El ZnO es un semiconductor de banda ancha directa (~3,3eV), con alta energía de ligación excitónica (60meV) y una gran facilidad para su nanoestructuración, lo que le confiere propiedades prometedoras para su aplicación en optoelectrónica, celdas solares y biosensores. Se obtuvieron nanohilos (NHs) de ZnO sobre sustratos de Si conductores mediante síntesis hidrotérmica. Se realizaron medidas de espectroscopía de fotoluminiscencia (FL) a temperatura ambiente en NHs de ZnO sin tratamiento térmico (TT) y en NHs de ZnO con TT (tratamiento realizado en un horno a presión ambiente y en atmósfera ambiente) a diferentes temperaturas. El estudio morfológico de las nanoestructuras se realizó mediante microscopia electrónica de barrido.Mediante un proceso de deconvolución, se determinaron las componentes de las bandas de emisión obtenidas en los espectros de FL, las cuales podrían estar asociadas a diferentes tipos de defectos en las nanoestructuras: ?Emisión ~ 1.8 eV: probablemente originada por defectos relacionados con el exceso de oxígeno, posiblemente debido a complejos de zinc vacantes. ?Emisión ~ 2 eV: se deben a la presencia de Zn(OH)2 o grupos OH que surgen del método de síntesis por vía húmeda, en lugar del oxígeno intersticial (comúnmente asumido para crecimientos desde el vapor).?Emisión ~ 2.2 eV: quizás se originó a partir de defectos en la superficie.?Emisión Ultravioleta: se asocia a transiciones excitónicas del ZnO bulk.Paralelamente al incremento de la temperatura del TT se produjo un aumento en los diámetros de los NHs pudiendo deberse a procesos de relajación de tensiones en las estructuras y de reordenamiento de los átomos.