CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS DE ESTRUCTURAS DE NANOHILOS DE GaAs NÚCLEO-n/CORTEZA-p CON Te COMO DOPANTE n

JORGE CARAM; CLAUDIA SANDOVAL

Tucumán

Jornada; Cuartas Jornadas de Jóvenes Investigadores UNT-CONICET; 2010

Universidad Nacional de Tucumán - CONICET

Se estudiaron dispositivos fotovoltaicos p-n basados en nanohilos de GaAs, con dos distribuciones p y n espaciales distintas y donde el Te fue el dopante n, empleando espectroscopía de impedancia para frecuencias entre 10^3 y 10^7 Hz, en el rango de tensiones de polarización entre -1,5V y 1,5V. Los datos de impedancia para tensiones de polarización bajas muestran grandes dispersiones en frecuencia que evidencian la caída y reemisión de cargas en trampas superficiales. Los resultados de impedancia describen semicírculos en el plano complejo que pueden ajustarse aproximadamente a funciones de Cole-Cole y por lo tanto ambas estructuras pueden representarse mediante circuitos equivalentes formados por una capacidad Cp y una conductancia Gp en paralelo. Se observó una conductancia creciente con frecuencia creciente para tensiones de polarización bajas, lo que sugiere transporte por saltos (hopping) a través de estados localizados. Para tensiones de polarización grandes, la conductancia aumenta exponencialmente y es independiente de la frecuencia, lo que revela conducción a través de estados extendidos en este régimen. Se encontró que prevalecen las propiedades de juntura p-n (rectificación a corriente continua y capacitancia de depleción p-n) para una región grande de solapamiento núcleo-n/corteza-p en el interior de nanohilos en una geometría coaxial.