Preparación de capas finas y nanoestructuradas de ZnO para aplicación en dispositivos optoelectrónicos

J.CEMBRERO; L. C. DAMONTE; V.DONDERIS; M.GONZALEZ; M.A.HERNÁNDEZ-FENOLLOSA; B.MARÍ; M.MOLLAR; A.SEGURA

Actas dell III Encuentro de Investigación de la Universidad Politécnica

UPV

Año: 2005; p. 509 - 510

En la actualidad estamos investigando compuestos de ZnO preparados mediante deposición por laser pulsado (PLD) y electrodeposición (ED). Este material está siendo objeto de una gran atención en los últimos años debido a sus potenciales aplicaciones en dispositivos optoelectrónicos que trabajan en la zona del ultravioleta (UV) [1]. El ZnO es un semiconductor que presenta una estructura tipo burcita a temperatura ambiente y una banda prohibida alrededor de los 3.4 eV con grandes posibilidades para su aplicación en diferentes campos. [2].  Nuestro objetivo es investigar los métodos de crecimiento de los materiales y los tratamientos  posteriores con vistas a mejorar las características que influyen en el posterior funcionamiento de los dispositivos optoelectrónicos, en este caso se persigue mejorar las propiedades ópticas del material en el UV.