PERSONAL DE APOYO
RISSO gustavo Armando
artículos
Título:
CARACTERIZACIÓN DE SILICIO NANOCRISTALINO OBTENIDO POR PECVD DE ALTA FRECUENCIA
Autor/es:
COCARI , RISSO
Revista:
AVANCES EN ENERGIAS RENOVABLES Y MEDIO AMBIENTE
Editorial:
ASOCIACIÓN ARGENTINA DE ENERGÍA SOLAR
Referencias:
Año: 1999 p. 13 - 17
ISSN:
0329-5184
Resumen:
Se estudian las propiedades ópticas y estructurales de películas nanocristalinas de Silicio hidrogenado depositadas por VHFPECVD
a muy baja temperatura (~ 150 ºC). Las condiciones de deposición se ajustaron de modo de obtener un material de
buenas características fotovoltaicas. Se presenta la caracterización de películas de Silicio intrínseco, tipo n y p, obtenido
empleando respectivamente diluciones de fosfina y diborano en silano. A fin de realizar dicha caracterización, se efectuaron
mediciones de conductividad a oscuras, fotoconductividad, gap óptico, coeficiente de absorción, índice de refracción,
espectros de dispersión Raman y espectros de transmitancia de radiación UV-Vis.
