INVESTIGADORES
VENTOSINOS federico
congresos y reuniones científicas
Título:
Dependencia de la longitud de difusión de portadores minoritarios con la temperatura, en a-Si:H
Autor/es:
F. VENTOSINOS; N. BUDINI; J. A. SCHMIDT
Lugar:
Buenos Aires
Reunión:
Congreso; 93ra. Reunión Nacional de Física; 2008
Institución organizadora:
Asociación Física Argentina
Resumen:
La técnica SSPG (Steady State Photo-carrier Grating) fue introducida por Ritter, Zeldov y Weiser [1] como un método para medir la longitud de difusión ambipolar de los portadores fotogenerados en semiconductores de baja movilidad. En este experimento se ilumina la muestra con dos haces coherentes de luz láser, uno de alta intensidad y estacionario, y el otro de baja intensidad choppeado a frecuencia ω. La interferencia entre ambos haces crea un patrón periódico de concentración de portadores libres; y comparando este período con la longitud de difusión se determina este último parámetro. En este trabajo utilizamos la técnica SSPG para medir la longitud de difusión ambipolar en función de la temperatura de una muestra de silicio amorfo hidrogenado (a-Si:H). Dicho resultado experimental se compara con el resultado teórico que surge de modelar el método para una dada densidad de estados. Se hace una breve reseña de ambos desarrollos, y por último semuestran los resultados y las conclusiones.
