Caracterización de películas delgadas de silicio policristalino obtenidas por CVD a partir de Clorosilanos

BENVENUTO, A. G.; BUITRAGO, R. H.; SCHMIDT, J. A.

Malargüe, Mendoza

Congreso; 95º Reunión Nacional de Física; 2010

Asociación Física Argentina

Las celdas solares de silicio policristalino (pc-Si), depositadas en forma de películas delgadas sobre sustratos de bajo costo, podrían ser el camino para lograr la esperada reducción en los costos de laelectricidad fotovoltaica. En este trabajo utilizamos la deposición química desde la fase vapor (CVD) para crecer películas de pc-Si dopadas con Boro sobre sustratos comerciales de vidrio aluminosilicato. Como fuente de Si empleamos el triclorosilano y como elemento dopante el bromuro de boro (BBr3). La reacción se produce por descomposición térmica a unos 800 ºC. Las películas resultaron homogéneas, bien adheridas al sustrato, con una estructura columnar adecuada para la conducción eléctrica en celdas solares. Una fuerte orientación preferencial en el plano (2 2 0) indica una baja densidad de defectos intragrano. Para estudiar las propiedades de transporte eléctrico realizamos mediciones de conductividad a oscuras en función de la temperatura. Encontramos una gradual disminución en la energía de activación a medida que aumentamos la concentración efectiva del dopante. Al mismo tiempo, notamos que lapresencia del dopante influye sobre la reacción de deposición del silicio, la cual se desplaza hacia zonas de mayor temperatura. Asimismo, la velocidad de deposición también disminuye por la presencia delBBr3. De todas maneras, las películas obtenidas poseen propiedades ópticas y eléctricas adecuadas para utilizarlas como capa absorbente en una celda solar policristalina.