Cálculo de la estructura electrónica y fonones para el estudio de los half-metallic d0 LiN, NaN y KN: influencia del intercambio-correlación

A. GIL REBAZA; L. A. ERRICO; E. L. PELTZER Y BLANCÁ

Bahia Blanca

Congreso; VII Reunion Nacional de Solidos - Solidos 2017; 2017

Departamento de Física, Universidad Nacional del Sur ? IFISUR, CONICET

Los compuestos half-metallic presentan la característica de que una de sus bandas de espín tiene comportamiento metálico mientras que la otra hace como un semiconductor. Por este motivo han sido propuestos para el desarrollo de dispositivos de almacenamiento de datos masivo, espintrónica y canales de espín [1].En el presente trabajo por medio de cálculos ab-initio basados en la Teoría de la Funcional Densidad (DFT) [2], se ha estudiado los half-metallic binarios d0 LiN, NaN y KN, con diferentes niveles de aproximación de la funcional de intercambio-correlación tales como LDA, GGA (PBE), metaGGA (TB-mBJ) y funcionales híbridas (HSE06), además de la aproximación de cuasipartícula (scGW y G0W0) con la finalidad de obtener una mejor descripción de la banda semiconductora. Además se ha estudiado la estabilidad estructural de los compuestos a través de la dinámica de la red o fonones usando la aproximación de respuesta lineal. Se ha usado el método de ondas planas y pseudopotenciales (QuantumEspresso [3]) y el método FP-LAPW (Wien2k [4]) para la solución autoconsistente de las ecuaciones.Referencias[1] R. A. de Groot, F. M. Mueller, P. G. van Engen, K. H. J. Buschow, Phys. Rev. Lett. 50 (1983) 2024.[2] R. M. Martin, Electronic Structure, Basic Theory and Practical Methods, Cambridge University Press, New York, U.S.A., 2004. [3] P. Giannozzi, S. Baroni, et al., J. Phys.: Condens. Matter 21 (2009) 395502[4] P. Blaha, K. Scwarz, G. Madsen, D. Kvasnicka, J. Luitz, Wien2k, an Augmented Plane Wave + Local Orbitals Program for Calculating Crystal Properties, Karlheinz Schwarz, Tech. Universitä Wien, Austria, 1999, http://www.wien2k.at