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En los ultimos años, los semiconductores magneticos diluidos (SMD) han concitado el interes cientifico mundial debido en gran medida a su potencial aplicacion en dispositivos magneto-opticos y para espintronica. Algunos autores roponen que el ferromagnetismo encontrado en peliculas delgadas de TiO2:Co esta mediado por portadores como en el caso de los DMS basados en elementos III-V. Otros han encontrado que el origen del ferromagnetismo se debe a la formacion de clusters de Co en la estructura de TiO2. Mas recientemente, la idea de que defectos y vacancias son fundamentales para la aparicion de ferromagnetismo, ha cobrado vigor, aun en otros sistemas. Con el fin de estudiar el rol de los dopantes y de las vacancias de oxigeno en el comportamiento magnetico de estos oxidos, se depositaron y caracterizaron peliculas delgadas de TiO2 sin dopar y dopadas con Cu y Zn. Complementariamente, se realizaron calculos ab-initio, utilizando el metodo de supercelda. En las muestras dopadas con Cu se encontro experimentalmente un momento magnetico sorprendemente alto de 1.5 magnetones por atomo de Cu. Los calculos teoricos mostraron resultados coincidentes, pero solo si existia una vacancia de oxigeno como vecina proxima al Cu. Tambien predicen que el dopaje con Cu favorece la formacion de vacancias de oxigeno. En las peliculas de TiO2 sin dopar y dopadas con Zn se encontraron resultados similares. Estas evidencias experimentales y los calculos teoricos muestran que el rol de las vacancias de oxigeno es crucial para la aparicion de ferromagnetismo en estos oxidos.

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