Intercambio por reacción en fase sólida de impurezas Hf en sitios catiónicos del óxido de Tulio

G. N. DARRIBA; L. A. ERRICO; M. RENTERIA

La Falda

Congreso; 87 Reunión de la Asociación Física Argentina; 2002

Asociacion Fisica Argentina

La inclusión controlada de impurezas en materiales semiconductores y aisladores en sitios precisos de la red huésped reviste un alto interés tecnológico para la modificación de propiedades estructurales y electrónicas del material. La determinación del gradiente de campo eléctrico (GCE) en el sitio de impureza, observable altamente sensible a la densidad de carga en su entorno nanoscópico, es una herramienta poderosa no sólo para monitorear la eficacia del proceso de dopaje sino también para estudiar in situ propiedades estructurales y electrónicas en el sitio de impureza [Errico et al., Phys. Rev. Lett. 89, 055503 (2002)]. En este trabajo estudiamos el intercambio de impurezas Hf en sitios sustitucionales de catión en Tm2O3 por reacción en fase sólida asistida por molido mecánico de HfO2 (activado por irradiación neutrónica) y el óxido de tierra rara, proceso demostrado exitoso para otro compuesto isoestructural con mayor parámetro de red. Las interacciones hiperfinas en sitios de intercambio fueron monitoreadas durante distintas etapas del proceso con la sonda 181Ta (obtenidas en el decaimiento beta- del 181Hf) utilizando la técnica de las Correlaciones Angulares Perturbadas. El carácter sustitucional del proceso de intercambio es discutido y demostrado a la luz de una sistemática establecida para GCEs en óxidos de tierras raras isoestructurales.