Interacciones hiperfinas en impurezas 181Ta en Ho2O3 dopado por reacción en fase sólida asistida por molido mecánico

M. RENTERIA; L. A: ERRICO

Rosario

Conferencia; 86 Reunión de la Asociación Física Argentina; 2001

Asociacion Fisica Argentina

La determinación del gradiente de campo eléctrico (GCE) en sitios precisos de un material permite el estudio de propiedades electrónicas y estructurales del sistema. La técnica de las Correlaciones Angulares Perturbadas (CAP) mide en forma muy precisa el GCE en el sitio de un átomo-sonda radioactivo que debe ser introducido adecuadamente en la red cristalina, siendo en la mayoría de los casos impurezas en el material huésped. En el marco de nuestro estudio sistemático de GCE´s en óxidos binarios en sitios de impurezas 111Cd/181Ta, las sondas han sido introducidas por difusión térmica, métodos químicos durante la preparación del óxido, activación neutrónica o implantación iónica. Este método es el más efectivo para la incorporación de sondas en un óxido pero presenta la desventaja de la baja actividad de las muestras y de depender del acceso a una facilidad en el exterior. En este trabajo estudiamos como método alternativo el dopaje por reacción en fase sólida de HfO2 activado por irradiación neutrónica y el óxido bajo estudio, asistida por molido mecánico. Se presentan resultados de las interacciones hiperfinas en sitios 181Ta en muestras policristalinas de Ho2O3 en su fase cúbica (bixbita) dopadas por este método bajo diferentes condiciones de presión y temperatura. Estos resultados son comparados con los provenientes de una sistemática en bixbitas y reproducen los GCE´s determinados en muestras dopadas por implantación iónica.