Interacciones hiperfinas en bixbitas: parametrización del gradiente de campo eléctrico en sitios catiónicos de impurezas Cd/Ta

M. RENTERIA; L. A: ERRICO; A. G. BIBILONI; K. FREITAG

CABA

Conferencia; 85 Reunión de la Asociación Física Argentina; 2000

Asociacion Fisica Argentina

Presentamos resultados de la caracterización por Correlaciones Angulares Perturbadas (CAP) del gradiente de campo eléctrico (GCE) en impurezas 181Ta localizadas en los dos sitios catiónicos no equivalentes, y libres de defectos, de la fase cúbica (bixbita) de los sesquióxidos de Europio (Eu2O3) y Holmio (Ho2O3), incrementando así la sistemática de GCE?s en impurezas 181Ta en oxidos binarios. Las sondas 181Hf(181Ta) fueron introducidas en las muestras policristalinas por implantación iónica en el ISKP de la Universidad de Bonn. Las medidas CAP fueron registradas antes y después de eliminar el daño por radiación, a temperatura ambiente y al aire. El conjunto de resultados acumulados con 111Cd y 181Ta nos ha permitido estudiar el carácter universal de la correlación empírica entre las contribuciones iónica y de valencia al GCE en óxidos binarios. Específicamente, en el caso del grupo bixbita, proponemos una factorización del GCE en función de las características electrónicas del átomo-sonda, la geometría del sitio catiónico y el parámetro de red de los sesquióxidos. Esta factorización permite explicar los resultados de las caracterizaciones experimentales del GCE en sitios de impurezas Cd/Ta en bixbitas, y está en acuerdo cualitativo con una expresión simplificada del GCE en una aproximación de primeros principios a este problema.