Efecto del carácter donor de la sonda 181Ta sobre la dependencia con la temperatura del gradiente de campo eléctrico en el semiconductor Lu2O3

L. A: ERRICO; M. RENTERIA; A. G. BIBILONI; C. E. RODRÍGUEZ TORRES, A. F. CABRERA, L. A. ERRICO, C. ADÁN, F. G. REQUEJO, M. WEISSMANN Y S. J. STEWART.; K. FREITAG

La Plata

Conferencia; 83 Reunión de la Asociación Física Argentina, La Plata, Septiembre de 1998.; 1998

Asociacion Fisica Argentina, Universidad de San LuisDto de Fisica UNLP

La dependencia con la temperatura del gradiente de campo eléctrico (GCE) en sitios de catión en los sesquióxidos que cristalizan con la estructura del mineral bixbita (Mn2O3) depende fuertemente de la configuración electrónica de la impureza empleada como sonda de Correlaciones Angulares Perturbadas. Reportamos aquí los primeros resultados de la caracterización hiperfina del GCE en impurezas 181Ta localizadas en los dos sitios de catión de la estructura bixbita del sesquióxido de lutecio en el rango de temperatura RT-1373 K. La dependencia del GCE con la temperatura observada en Lu2O3 es explicada en el marco de un modelo de interacciones fluctuantes entre dos estados, el cual posibilita la determinación de los niveles de energía donores introducidos por la sonda en la matriz del semiconductor y estimar la densidad de vacancias de oxígeno en la muestra. Los resultados obtenidos son además comparados por los predichos por el modelo de cargas puntuales (MCP) y los hallados con la sonda 111Cd en el mismo compuesto. We report here the electric-field-gradient (EFG) hyperfine characterization at 111Cd impurities located at both inequivalent cation sites of the bixbyite structure of samarium sesquioxide, in the temperature range RT-1273 K and at th e trhee inequivalent cation sites . The results are compared with those coming from the systematic TDPAC study in bixbyites and with predictions performed within the point-charge model. The anomalous EFG temperature dependence observed in Lu2O3 is explained in the frame of a ?two-states? model with fluctuating interactions, which enables the determination of the aceptor energy level introduced by Cd ions in the semiconductor matrix.