Óxidos semiconductors magnéticos diluidos: experimentos y calculos ab initio

C. E. RODRÍGUEZ TORRES; A. F. CABRERA; F. GOLMAR; A. M. MUDARRA NAVARRO; V. BILOVOL; L. A. ERRICO; F. H. SÁNCHEZ

Huerta Grande, Cordoba

Congreso; Segunda Reunión Nacional Sólidos 2007; 2007

UNC

Se ha encontrado ferromagnetismo a temperatura ambiente en películas de los óxidos semiconductores ZnO, TiO2 , SnO2 , In2O3 y HfO2 dopados con muy baja concentración de metales de transición (< 10 at. %). La causa que da origen al ordenamiento magnético en estos materiales es uno de los tópicos mas debatidos de los últimos tiempos en temas relacionados con el magnetismo. Más aún, la presencia de magnetismo en algunos de estos óxidos puros. Hay abundante evidencia de que el magnetismo está relacionado con la baja cristalinidad, la presencia de defectos puntuales y/ó lineales y algún efecto de superpie y/o interfase (película substrato). En este trabajo, se presenta resultados experimentales y de cálculos ab-initio en sistemas SnO2 y TiO2 puros y dopados, en forma de películas y polvos. Se investiga, la dependencia de la magnetización con: la concentración, el espesor, micrestructura superficial y condiciones de depósito de las películas y el efecto del substrato.