Estudio hiperfino y de primeros principios en A-La2O3 puro y dopado con impurezas aceptoras (Cd) y donoras (Ta).

D. RICHARD; L. ERRICO; M. RENTERÍA

Villa Carlos Paz, Córdoba

Congreso; 97 Reunión de la Asociación Física Argentina; 2012

Asociación Física Argntina

Presentamos un estudio teórico y experimental de las propiedades estructurales y electrónicas del óxido La2O3 (fase A, hexagonal), tanto en el caso del semiconductor puro como dopado con impurezas nominalmente aceptoras, Cd, y donoras, Ta. Se realizaron cálculos de primeros principios de estructura electrónica y de gradiente de campo eléctrico (GCE) en estos sistemas. El GCE es un observable extremadamente sensible ante cambios en la simetría y magnitud de la densidad electrónica ρ(r) en el entorno del átomo-sonda donde es determinado, por lo cual la comparación entre su predicción y su determinación experimental proveniente del estudio de las interacciones hiperfinas con isótopos radiactivos adecuados implantados en el semiconductor o con átomos nativos resulta un excelente chequeo de las propiedades estructurales y electrónicas predichas por los cálculos ab initio. En los casos puro (A-La2O3) y dopado con Cd (A-La2O3:Cd), se utilizaron determinaciones experimentales del GCE de la literatura [1−3], y para el caso dopado con Ta (A-La2O3:Ta) se realizaron determinaciones originales del GCE, obtenidas mediante la técnica de las Correlaciones Angulares Perturbadas Diferenciales en Tiempo (PAC), utilizando la sonda 181Hf→181Ta. Para calcular el GCE en los sitios catiónicos de los compuestos estudiados se utilizó el método de las ondas planas aumentadas (APW+lo) en el marco de la Teoría de la Funcional Densidad (DFT), teniendo en cuenta en forma autoconsistente