Fabricación y caracterización de microdispositivos de memoria por cambio de fase en aleaciones del sistema Ge-Sb-Te

ROCCA, J.; GOLMAR, F.; BARELLA, M.; MARIA ANDREA UREÑA; FONTANA, M.; ROCCA, J.; GOLMAR, F.; BARELLA, M.; FONTANA, M.; MARIA ANDREA UREÑA

Tucumán

Congreso; 101º Reunión de la Asociación Física Argentina; 2016

El sistema Ge-Sb-Te, entre otros basados en calcógenos, seha estudiado ampliamente para la fabricación de medios de almacenamiento ópticoy, más recientemente, de sistemas de memoria persistente de estado sólido. Laclave de estas aplicaciones se basa en el cambio apreciable de las propiedadesfísicas de aleaciones de este sistema ante la transformación estructural entrelos estados amorfo y cristalino (por ej. conductividad eléctrica o índice derefracción).En trabajos previos, se ha caracterizado la estructura y laconductividad eléctrica en función de las transformaciones de fase que ocurrencon el aumento de temperatura en películas delgadas con composicionesGe13Sb5Te82, Ge2Sb2Te5 [1], Ge1Sb2Te4, Ge1Sb4Te7 y Sb70Te30. En el presentetrabajo, con el fin de estudiar la respuesta de estas aleaciones a estímuloseléctricos, se prepararon dispositivos por técnicas de microfabricación. Seobtuvieron configuraciones tipo crossbar (Metal-Calcogenuro-Metal). Las tresetapas se definieron por fotolitografía. Los contactos metálicos se depositaronpor sputtering y las regiones de calcogenuro por láser pulsado (PLD). Se midióla resistencia eléctrica que presentaban los dispositivos a través de sucesivasexcitaciones con pulsos controlados de tensión o corriente.