INTECIN 20395
INSTITUTO DE TECNOLOGIAS Y CIENCIAS DE LA INGENIERIA "HILARIO FERNANDEZ LONG"
Unidad Ejecutora - UE
congresos y reuniones científicas
Título:
Propiedades eléctricas y ópticas en la conmutación amorfo-cristal del sistema GeSbTe
Autor/es:
J.ROCCA; J.L.GARCIA; M.A. UREÑA; M. FONTANA; B. ARCONDO
Lugar:
La Plata
Reunión:
Congreso; Sólidos 2015; 2015
Resumen:
En este trabajo se presentan las propiedades eléctricas y ópticas de películas delgadas del sistema GeSbTe. Las películas con composiciones Ge13Sb5Te82, Ge1Sb2Te4, Ge2Sb2Te5, Ge1Sb4Te7 y Sb70Te30 fueron obtenidas por deposición por láser pulsado (PLD) utilizando un láser pulsado de Nd: YAG (λ = 355 nm). Estas composiciones poseen la característica de variar significativamente sus propiedades eléctricas y ópticas cuando conmutan del estado amorfo al cristalino. Este fenómeno resulta de interés en el campo de las memorias no volátiles eléctricas, y se ha aplicado comercialmente en memorias ópticas (por ejemplo en DVD-RW). La clave de estas aplicaciones se basa en los cambios en las propiedades físicas (conductividad eléctrica o de índice de refracción) de las películas cuando se produce la transformación estructural entre estos estados. Las películas se caracterizaron estructuralmente mediante difracción de rayos X y ópticamente usando espectroscopía UV-visible. Se midió la transmitancia en función de la longitud de onda determinándose la energía del gap óptico. Además se estudió la conductividad eléctrica en las películas en función de la temperatura en el rango 300-520 K. Durante la cristalización, la conductividad eléctrica de la película se incrementa varios órdenes de magnitud en un intervalo de temperatura estrecho. Se determinaron las energías de activación de conducción eléctrica de los estados amorfos y cristalinos y la temperatura de cristalización.
