CONICET | Buscador de Institutos y Recursos Humanos

El dopaje con elementos metálicos como estaño (Sn) y plata (Ag) ha sido propuestopor otros autores para mejorar el rendimiento de vidrios calcogenuros, con teluro entresus componentes principales, en su aplicación a memorias de cambio de fase (phasechange memories, PCM). Esta aplicación se basa en la gran diferencia en la resistenciaeléctrica de los estados amorfos y cristalino en este tipo de aleaciones. En trabajosprevios, hemos fabricado películas delgadas de composiciones (Sb70Te30)100−xYx (conY=Sn o Ag y 0 ≤ x ≤ 7.5 porcentaje atómico) empleando la técnica de ablación láserusando un láser pulsado. Encontramos que cuando estas películas son calentadasmuestran una fuerte caída de la resistencia eléctrica en un rango de temperaturaestrecho. Calorimetría diferencial de barrido y difracción de rayos x son técnicas quehemos utilizado para la caracterización de estas películas. En este trabajo, presentamosuna comparación de los resultados obtenidos a partir de los tratamientos térmicoshechos por calorimetría diferencial de barrido y cuando se realizan las medidas deresistencia eléctrica en ambos tipos de aleaciones, las dopadas con Ag así como lasdopadas con Sn. Los productos de cristalización, las temperaturas de onset y de picoen la cristalización, así como la energía de activación son analizados.