IFLP   13074
INSTITUTO DE FISICA LA PLATA
Unidad Ejecutora - UE
informe técnico
Título:
Circuito para la medición de salto de energía en semiconductores
Autor/es:
C. M. GRUNFELD; G. A. SIEBEN
Fecha inicio/fin:
2017-03-01/2017-03-31
Naturaleza de la

Producción Tecnológica:
Electrónica
Campo de Aplicación:
Energia-Electrica
Descripción:
La teoría predice que a cero grados absolutos los semiconductores se comportan como aislantes ya que no existen electrones libres que puedan moverse en la estructura cristalina. A medida que la temperatura aumenta algunos electrones adquieren suficiente energía como para romper los enlaces covalentes y pasar libremente a la banda de conducción. La energía necesaria para romper estos enlaces y pasar de la banda de valencia a la banda de conducciónse denomina salto de energía o band gap en inglés. Una energía menor que ésta no produce el efecto y por ese motivo también suele denominarse banda prohibida. La determinación de este valor de energía es importante para la caracterización y la aplicación de diferentes semiconductores. Es por eso que en este trabajo se diseñó e implementó un circuito capaz de realizar dicha tarea siendo además de fácil manejo para realizar trabajos prácticos con alumnosde grado de la licenciatura en Física.