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El ZnO es considerado como un material promisorio para aplicaciones en espintrónica, biomedicina y en especial optoelectrónica [1], para lo cual es clave contar con ZnO tipo p y junturas p-nde alta calidad. El estudio de los sistemas en baja dimensionalidad permite amplificar los efectos superficiales en las propiedades físicas de los mismos. Debido a que se estima que la mayorparte de los defectos se segregan hacia la superficie, donde se producirían los nuevos efectos [2,3]. Sin embargo, el estudio de transporte de los microhilos presenta el problema que no esposible la medición del efecto Hall por su geometría, es así que, una alternativa para la medición del tipo y de densidad de portadores es el poder termoeléctrico. El signo del coeficienteSeebeck determina el tipo de portadores del material, que son electrones si S0. A su vez la medición del poder termoeléctrico a distintas temperaturas nos da información dela densidad de los portadores, a través de la relación de Mott [4-6]. En este trabajo se fabricaron microhilos de ZnO mediante el proceso carbotérmico y se doparon con hidrógeno en unproceso de difusión controlando presión y temperatura. Se diseñó y construyó un dispositivo para la medición del poder termoeléctrico de un microhilo individual. Se midió el podertermoeléctrico en función de la temperatura de un microhilo de ZnO hidrogenado a oscuras e iluminando la muestra con 370nm, correspondiente a la energía del gap.